SK하이닉스 이웅선 부사장, 美 패키징 법인 대표로

2005년 입사 'HBM 1등' 주역
HBM 제조 첨단 패키징 연구계획

SK하이닉스가 지난해 3·4분기에 신설한 미국 인디애나주 웨스트라피엣(West Lafayette LLC) 법인 수장으로 이웅선 부사장(사진)을 선임한 것으로 확인됐다.

17일 반도체 업계에 따르면 이 부사장이 최근 SK하이닉스 웨스트라피엣 법인 대표로 취임했다. SK하이닉스 관계자는 "법인 설립 후에 이 부사장이 법인 대표로 선임됐다"고 설명했다.

이 대표는 지난 2005년 SK하이닉스에 입사해 패키지 제품 연구개발(R&D)과 패키징 기술 개발을 담당하며 회사의 반도체 패키징 기술 혁신을 이끌었다. 특히 실리콘관통전극(TSV) 및 웨이퍼 레벨 패키징(WLP)과 같은 패키징 기술을 활용한 제품 개발에 성공했고, 2013년 세계 최초로 해당 기술을 활용한 제품을 양산했다.

또 2020년부터 12인치 웨이퍼 클린룸을 활용한 HBM 제품의 완전 자동화 대량 생산 시스템을 구축해 SK하이닉스가 HBM 시장 글로벌 1위의 입지를 확고히 하는 데 기여한 인물이다.

이 대표가 이끄는 웨스트라피엣 법인은 지난해 3·4분기에 신설됐다. 웨스트라피엣 법인은 미국 인디애나주 퍼듀대학교 인근에 위치하고 있고, SK하이닉스는 이를 통해 미국 내 반도체 산업 공급망 강화와 패키징 기술 혁신을 선도한다는 목표를 세웠다.

SK하이닉스는 고대역폭메모리(HBM) 제조 및 첨단 패키징 연구개발(R&D)을 진행할 예정이다. 시설 건설에는 38억7000만 달러(약 5조6000억원)를 투자하고, 보조금 4억5800만 달러와 정부대출 5억 달러를 지원받기로 했다.

한편, 법인은 미국 내 반도체 인재 양성 및 기술 협력을 위한 거점 역할도 할 예정이다.

임수빈 김준석 기자