검찰, '삼성전자 반도체 핵심기술 유출' 공범 구속기소

주범인 삼성전자 전 부장 징역 7년 검찰, 추가 공범 추적 중

[서울=뉴시스] 추상철 기자 = 30일 오후 서울 서초구 서울중앙지방검찰청에서 태극기와 검찰 깃발이 바람에 나부끼고 있다. 2025.01.30. [e-mail]

[서울=뉴시스]박선정 기자 = 삼성전자의 반도체 핵심 기술을 중국 경쟁사에 유출한 혐의로 징역 7년을 선고 받은 삼성전자 전 직원 사건과 관련해 검찰이 공범 1명을 추가로 재판에 넘겼다.

2일 서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 안동건)는 산업기술의 유출 방지 및 보호에 관한 법률 위반 등 혐의로 삼성전자 엔지니어 출신 전모(55)씨를 구속기소 했다고 밝혔다. 앞서 검찰은 지난달 14일 법원에서 구속영장을 발부받아 전씨의 신병을 확보했다.

검찰에 따르면 전씨는 삼성전자에서 중국 반도체 제조업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)로 이직한 후 삼성전자가 1조6000억원을 들여 개발한 18나노 D램 공정 정보를 무단 유출해 사용한 혐의를 받는다. CXMT는 중국지방정부가 2조6000억원을 들여 세운 중국 최초의 D램 반도체 회사다.

전씨의 혐의는 마찬가지로 삼성전자 D램 공정기술을 무단 유출한 혐의로 삼성전자 전 부장 출신 김모씨를 구속 기소한 사안에서 추가 수사를 하다가 발견됐다.

전씨는 CXMT로 이직하는 과정에서 삼성전자의 공정기술을 빼돌리고, 핵심인력 영입을 통해 CXMT D램 반도체 개발계획을 수립하는 등 범행에 핵심 역할을 한 것으로 검찰은 보고 있다.

또 위장회사를 통해 CXMT에 입사하고, 체포당할 경우를 대비해 암호를 전파하는 등 수사에 철저히 대비한 것으로 조사됐다.

검찰은 "삼성전자 자료를 유출한 또 다른 공범도 인터폴을 통해 추적 중"이라며 "피해 기업과 국가 경제를 위협하는 기술 유출 범죄에 엄정 대응하겠다"고 전했다.

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