검찰 '중국에 반도체 기술 유출' 前 삼성전자 직원 구속 기소

서울중앙지검./뉴스1 ⓒ 뉴스1 민경석 기자

(서울=뉴스1) 정재민 기자 = 국내 반도체 핵심 기술을 중국 경쟁기업으로 유출한 혐의를 받는 전 삼성전자 직원이 구속 상태로 재판에 넘겨졌다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 안동건)는 2일 산업기술보호법 위반(국가 핵심기술 국외 유출) 등 혐의로 삼성전자 전 직원 전 모 씨(55)를 구속기소 했다고 밝혔다.

앞서 검찰은 지난달 14일 법원에서 전 씨에 대한 구속영장을 발부받아 신병을 확보했다.

전 씨는 삼성전자에서 중국 D램 반도체회사 창신 메모리테크놀로지(CXMT)로 이직한 뒤 개발비 1조 6000억 원의 삼성전자의 D램 공정 국가 핵심기술을 부정 취득·사용한 혐의를 받는다. CXMT는 중국 지방 정부가 2조 6000억 원을 투자해 설립한 중국 최초의 D램 반도체 회사다.

전 씨는 지난해 1월 같은 혐의로 구속기소돼 1심에서 징역 7년, 벌금 2억 원을 선고받은 삼성전자 부장 출신 김 모 씨와 이직 과정에서 삼성전자의 D램 반도체 공정 기술 확보, 핵심 인력 영입을 통한 창신메모리반도체의 D램 반도체 개발계획을 수립했다.

이후 위장회사를 통한 입사, 체포 시 암호 전파 등 수사에 대비해 범행을 저질렀다. 실제 출국금지 또는 체포 시 하트 네 개를 단체 대화방에 남기도록 했다.

전 씨는 창신메모리반도체로부터 사인온 보너스(sign-on bonus) 3억 원, 스톡옵션 3억 원 등 약 6년간 29억 원 상당을 지급받았고 이 사건 유출로 인한 삼성전자의 지난해 추정 매출감소액만 수조 원에 달하는 등 최근 수십조 원의 손해가 발생할 것으로 예상된다.

검찰은 김 씨에 대한 추가 수사를 통해 이번 사건을 확인했다. 검찰은 삼성전자 자료를 유출한 공범에 대해선 인터폴을 통해 추적 중이다.

검찰 관계자는 "앞으로도 피해 기업과 국가 경제를 위협하는 기술 유출 범죄에 엄정 대응하도록 하겠다"고 밝혔다.