산업기술의 유출방지 및 보호에 관한 법률 위반 등 혐의

[파이낸셜뉴스] 삼성전자의 반도체 핵심 기술을 중국 경쟁사에 유출한 전(前) 삼성전자 직원 1명이 추가로 적발돼 재판에 넘겨졌다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부(안동건 부장검사)는 2일 산업기술의 유출 방지 및 보호에 관한 법률 위반 등 혐의로 삼성전자 엔지니어 출신 전모씨(55)를 구속기소했다고 밝혔다. 검찰은 지난달 14일 법원으로부터 구속영장을 발부받아 전씨의 신병을 확보한 상태다.
전씨는 삼성전자에서 중국의 반도체 제조업체인 '창신메모리테크놀로지(CXMT)'로 이직한 후 삼성전자가 1조6000억원을 들여 개발한 18나노 D램 공정 기술을 무단 유출해 사용한 혐의를 받는다.
검찰은 전씨가 CXMT로 이직하는 과정에서 삼성전자의 공정기술을 빼돌리고 핵심인력 영입을 통해 CXMT D램 반도체 개발계획을 수립하는 등 범행에 핵심 역할을 한 것으로 보고 있다.
검찰은 전씨와 마찬가지로 삼성전자 D램 공정기술을 무단 유출한 혐의를 받는 삼성전자 전 부장 출신 김모씨의 사건을 수사하다가 전씨의 범행을 발견했다. 김씨는 지난 2월 1심에서 산업기술보호법 위반 등 혐의로 징역 7년과 벌금 2억원을 선고 받았다.
한편 CXMT는 중국지방정부가 2조6000억원을 들여 세운 중국 최초의 D램 반도체 회사다.
kyu0705@fnnews.com 김동규 기자
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