"플래그십 스마트폰 메모리 시장 선도"
SK하이닉스는 이번 제품의 전력 효율을 이전 세대인 238단 낸드 플래시 기반 제품 대비 7% 개선했다고 설명했다. 제품의 두께도 1㎜에서 0.85㎜로 줄여 초슬림 스마트폰에 탑재할 수 있도록 개발했다.
이 제품은 UFS 4세대 제품의 순차 읽기 최대 성능인 4300MB/s의 데이터 전송 속도를 지원한다. 모바일 기기의 멀티태스킹 능력을 좌우하는 랜덤 읽기와 쓰기 속도도 이전 세대 대비 각각 15%, 40% 향상돼 현존하는 UFS4.1 제품에서 세계 최고 성능을 달성했다고 SK하이닉스는 전했다. 이에 온디바이스 AI 구현에 필요한 데이터를 지연 없이 공급하고, 앱 실행 속도와 반응성을 높여 사용자가 체감하는 성능 향상에 기여할 것으로 기대된다.
SK하이닉스는 512GB(기가바이트), 1TB(테라바이트) 등 2가지 용량 버전으로 개발한 이번 제품을 연내 고객사에 제공해 인증을 진행하고, 내년 1분기부터 본격 양산에 돌입할 계획이다.
안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 "이번 제품 출시를 필두로 세계 최고층 321단 4D 낸드 기반 소비자용, 데이터센터용 SSD 제품도 연내 개발을 완료할 계획"이라며 "이를 통해 낸드 부문에서도 AI 기술 경쟁력을 갖춘 제품 포트폴리오를 구축해 '풀스택 AI 메모리 프로바이더'로서의 입지를 굳건히 하겠다"고 말했다.
ehcho@fnnews.com 조은효 기자
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