곁사슬 도핑 전략으로 구조 안정성 확보
웨어러블 기기용 전력원 활용 기대

일반적으로 열전 소재는 열전도성이 낮고, 전기 전도성은 높을수록 효율이 좋다. 이에 고분자는 가볍고 유연하며 독성이 낮다는 장점을 지녀 유기 열전 소재로 주목받아 왔다.
하지만 고분자의 낮은 전기 전도성을 개선하기 위해서는 강력한 도핑(doping)이 필요하다. 가장 많이 사용되는 첨가제인 염화철(FeCl₃)은 고농도 도핑 시 고분자의 결정 구조를 손상시켜 전기 전도성을 저해하는 문제가 있었다.
이를 해결하기 위해 연구팀은 도핑 반응 위치를 고분자의 '주사슬(backbone)'에서 '곁사슬(pendant)'로 유도하는 새로운 전략을 제시했다.
연구팀은 주사슬과 공액(conjugation) 구조를 형성할 수 있는 특수 곁사슬을 지닌 신규 전자 받개(acceptor) 단량체를 개발했다. 더해 이를 서로 다른 전자공여세기(electron-donating strength)의 전자 주개(donor) 단량체와 공중합해 세 가지 고분자를 합성했다.

이를 통해 연구팀은 도핑 메커니즘을 곁사슬 중심으로 유도하는 '펜던트 도핑(pendant doping)' 구조가 고성능 유기 열전 소재 개발의 새로운 방향이 될 수 있음을 실험적으로 입증했다.
정 교수는 "이번 연구를 통해 개발한 고분자 합성 기술은 웨어러블 센서, 사물인터넷 등에 필요한 전력원을 공급하기 위한 고성능 열전 소재 개발에 널리 활용될 것으로 기대된다"고 말했다.
한편 이번 연구는 재료과학 분야 세계적인 권위지인 어드밴스드 펑셔널 머티리얼즈(Advanced Functional Materials)에 6월 5일 게재됐다.
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