[컨콜] SK하이닉스 "버티컬 게이트 플랫폼, 3D D램 기술 적용 우선 검토"

10나노 이하급 제품

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스는 24일 열린 올해 2·4분기 실적 설명회에서 "현재 10나노 이하급에서 구조와 소재, 구성 요소의 획기적인 변화를 기반으로 한 버티컬 게이트 플랫폼, 3D D램 기술의 적용을 우선 검토하고 있다"며 "버티컬 게이트 플랫폼은 D램 셀 면적을 최소화하고 트렌지스터의 스위치 역할하는 게이트를 수직으로 세워서 기존 구조에 비해서 면적 효율성과 전력 특성을 획기적으로 개선시키는 차세대 메모리 기술이며 3D D램은 D램 셀을 수직적으로 접촉, 높은 집적도를 구현할 수 있는 또 다른 차세대 기술이다.

이런 기술들이 기존 약점을 극복하고 새로운 표준으로 자리 잡을 수 있도록 기술의 안정성 확보에 집중하고 있다"고 덧붙였다.

[e-mail] 권준호 기자