[파이낸셜뉴스] 삼성전자, TSMC, 인텔이 차세대 반도체 기술인 2나노미터(1nm=10억분의1m) 이하 초미세 공정기술 확보에 속도를 내기 위해, '하이 뉴매리컬애퍼처(NA) 극자외선(EUV) 노광장비'를 추가로 배치할 것으로 전망된다. 한 대에 5000억원을 호가하는 '하이 NA EUV' 확보를 놓고, 반도체 업계에서는 '초크포인트(전략상 요지)'라고 부른다. 미국이 중국의 반도체 굴기를 막기 위해, 수출 통제를 가하는 장비로, 차세대 반도체 기술 구현을 위한 핵심 중 핵심이다.
3일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 ASML의 하이 NA EUV 장비의 국내 반도체 공장 추가 반입을 검토 중이다. 2나노미터(1nm=10억분의1m) 이하 초미세 회로를 구현하는데 필수 장비다.
장비를 얼마나 빨리 선점하느냐에 따라 차세대 인공지능(AI)·고성능 반도체 시장에서 승패가 갈릴 정도로, 반도체 업계에서는 장비 반입 시기 자체가 화제다. 삼성전자는 앞서 3월 초, 국내 반도체 업계 최초로 화성캠퍼스에 ASML의 하이 NA EUV EXE:5000을 배치했다.
<본지 3월 12일자 16면 참조> 삼성전자는 현재 2나노미터 이하 차세대 반도체 공정에 이 장비를 활용하고 있는 것으로 전해졌다. 삼성은 이를 통해 2나노 시장에서 '역전의 발판'을 마련한다는 구상이다. 한진만 삼성전자 파운드리사업부장 사장은 취임 후 임직원에게 보낸 첫 메시지에서 "GAA 공정 전환을 누구보다 먼저 이뤄냈지만, 사업화에서는 아직 부족함이 너무나 많다"며 2나노 공정의 빠른 램프업(생산능력 증가)을 첫 과제로 주문하기도 했다.
TSMC도 지난해 하반기 해당 장비를 반입하며 2나노 공정 도입을 가속화하고 있다. 업계에서는 삼성, TSMC 등이 2나노 이하 초미세 반도체 공정의 경쟁력 강화를 목표로, 하이 EUV 노광장비 추가 배치에 나설 수 있다는 관측을 내놓고 있다.
네덜란드 ASML이 사실상 독점 생산하고 있는 이 장비는 연간 5~6대 정도만 만들어지고 있으며, 네덜란드 정부의 수출통제 품목 중 하나다.
ehcho@fnnews.com 조은효 기자
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