삼성전자 "HBM 등 선단 공정 전환 투자로 지난해 메모리 시설 투자 전년比 증가" [컨콜]

지난해 4·4분기 실적발표 컨퍼런스콜 진행

서울 서초구 삼성전자 본사 전경. 뉴스1

[파이낸셜뉴스] 삼성전자는 29일 진행된 지난해 4·4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "4·4분기 시설투자는 20조4000억원으로 전분기 대비 11조2000억원이 증가했다"며 "부문별로는 반도체(DS)가 19조원, 디스플레이는 7000억원"이라고 전했다.

이어 "DS 메모리는 고대역폭메모리(HBM) 등 고부가 제품 판매 확대를 위한 선단 공정 전환 투자 확대로 4·4분기와 연간 기준 모두 투자가 증가했다"며 "파운드리(반도체 위탁생산)는 미 테일러 공장 투자 증가로 전분기 대비 투자 규모는 증가했지만, 연간으로는 보수적 투자 기조를 이어가는 가운데 전년 대비 투자 규모가 감소했다"고 말했다.

그러면서 "올해 세부적인 투자 계획은 아직 확정되지 않았으나 메모리는 시황을 고려해 케팩스 증가가 예상된다"고 덧붙였다.

[e-mail] 임수빈 기자