삼성전자, 업계 첫 HBM4E 12단 샘플 공급…AI 메모리 리더십 강화

1c D램과 4나노 로직 다이 적용
공정 안정성 및 양산성 확보해

삼성전자 HBM4E 12단 제품. 삼성전자 제공

[파이낸셜뉴스] 삼성전자는 세계 최초로 차세대 인공지능(AI) 가속기의 핵심이 될 '고대역폭메모리(HBM)4E 12단' 샘플을 글로벌 고객사에 전격 공급했다고 29일 밝혔다.

삼성전자는 "지난 2월 업계 최고 속도를 구현한 HBM4 양산 출하에 성공하며 시장의 이정표를 세운 데 이어, 불과 수개월 만에 차세대 HBM4E 공급까지 개시하며 고대역폭 메모리 시장의 절대적 기술 리더십을 다시 한번 증명했다"고 설명했다.

이번 HBM4E 공급은 단순한 제품 라인업 확대를 넘어, 향후 수년간 폭발적으로 성장할 글로벌 AI 인프라 시장에서 삼성전자의 독보적인 공급 역량과 기술적 우위를 확고히 하는 계기가 될 것으로 기대를 모은다.

삼성전자의 HBM4E는 설계 및 공정 최적화를 통해 독보적인 스펙을 구현했다. 핀당 동작 속도는 14Gbps(초당 기가비트)에서 최대 16Gbps까지 지원, 전작 HBM4 대비 20% 이상 대폭 향상됐다.

단일 스택 기준 초당 3.6테라바이트(TB)의 대역폭을 제공함으로써 대규모 언어 모델(LLM) 및 차세대 AI 시스템의 연산 속도를 극대화한 것도 특징이다.

특히 전작 HBM4에서 이미 검증된 최선단 공정 기반의 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 파운드리 4나노(나노·1㎚=10억분의 1m) 로직 다이를 적용했는데, HBM4E에서도 해당 공정을 통해 로직 다이를 구현했다. 이를 통해 초미세 공정의 안정성을 극대화하는 동시에 수율과 양산성을 확보, 경쟁사들이 쉽게 따라올 수 없는 압도적인 진입장벽을 구축했다는 설명이다.

저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술을 집약해 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성도 14% 이상 크게 개선했다.

삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 양산 공급할 예정이다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 "HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다"며 "앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것"이라고 강조했다.

[e-mail] 임수빈 기자