'삼성·SK' 추격 中 이어 대만도 증설 속도…메모리 고점론 무색해진다

대만 난야, 15조원 신공장 투입, 창사 최대 투자
中 CXMT, IPO 자금 차세대 D램 생산라인 투입
AI 서버 수요 확대에 D램 투자 경쟁 가속화

[파이낸셜뉴스] 글로벌 D램 시장의 후발주자들이 공격적인 투자로 '메모리 빅3(삼성전자·SK하이닉스·마이크론)' 에 대한 추격에 고삐를 조이고 있다. 글로벌 D램 4위 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 기업공개(IPO)를 통해 확보한 재원을 메모리 생산능력 확대에 투입한다고 밝힌 것에 이어, 대만 난야테크놀로지도 15조원 규모의 신공장 투자안을 승인한 것으로 나타났다. 미국 월가의 메모리 업황 '피크아웃(고점론)' 주장이 무색할 정도로, 메모리 업계의 투자 경쟁이 수위를 더해가는 형국이다.

6일 업계에 따르면 대만 난야테크놀로지(난야)는 전날 이사회를 통해 오는 2029년까지 최대 3466억대만달러(약 15조2000억원)를 투입하는 내용이 담긴 신규 공장 투자안을 승인했다. 대만 외신에 따르면, 이번 투자는 난야 창사 이래 최대 규모다. 인공지능(AI) 시대 메모리 수요 확대에 대비한 선제 투자와 증설이 이어지면서 글로벌 메모리 업계의 투자 사이클도 한층 빨라지고 있다는 관측이 따른다.

난야는 올해 설비투자(자본지출)규모도 기존 520억대만달러(약 2조3000억원)에서 697억대만달러(약 3조원)로 약 34% 확대했다. 특히 난야는 올해 설비투자 증액분을 신공장 구축을 위한 장비 선급금과 첨단 공정, 연구개발(R&D) 등에 투입할 예정이다. 이번 투자안은 지난달 실적발표에서 대규모 투자 계획을 제시한 이후 구체적인 투자 규모와 생산 로드맵을 이사회에서 최종 의결한 것이다.

난야에 따르면 신공장은 1단계 기준 월 3만5900장의 웨이퍼 생산능력을 확보하는 것이 목표다. 또 극자외선(EUV) 노광장비를 도입해 차세대 10나노급 D램 생산 공정을 적용한다. 내년 하반기부터 웨이퍼 투입을 시작해 최종적으로는 월 4만5000장 규모의 생산체제를 구축한다는 구상이다.

이처럼 난야를 포함한 메모리 '빅3'를 추격하는 후발 업체들의 행보는 빨라지고 있다. 앞서 중국 CXMT는 최근 IPO를 통해 최대 666억위안(약 14조원)을 조달했다. 확보한 자금 가운데 약 75억위안(약 1조6000억원)은 메모리 웨이퍼 생산라인 고도화에, 130억위안(약 2조7000억원)은 차세대 D램 기술 업그레이드 프로젝트에 투입하는 등 첨단 D램 생산능력 확충에 총력을 다하고 있다.

양사 실적도 빠르게 개선되고 있다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올해 2·4분기 CXMT와 난야의 D램 매출은 각각 전년 동기 대비 716%, 690% 증가했다. CXMT는 범용 D램을 중심으로 생산능력을 확대하며 시장점유율 7%를 기록하며 글로벌 4위를 굳혔고, 난야 역시 DDR과 LPDDR4·5 수요 확대에 힘입어 높은 매출 성장세를 나타냈다. AI 메모리 수요 확대를 기반으로 후발 업체들의 생산능력과 기술 경쟁력이 빠르게 높아지고 있다는 평가가 나온다.
글로벌 D램 1,2위인 삼성전자와 SK하이닉스는 HBM4(6세대), HBM4E(7세대) 등 첨단 HBM을 중심으로 차세대 메모리 경쟁력 강화 및 증설에 나서고 있다. 여기에 중국과 대만 후발 업체들까지 경쟁에 가세하면서 글로벌 메모리 시장의 기술 경쟁과 점유율 경쟁도 한층 치열해질 전망이다.

반도체 업계 관계자는 "중국 및 대만 업체들은 선단 공정과 HBM에서 아직 한국과 기술 격차가 있지만, 최근 메모리 호황을 활용해 생산능력과 공정 전환 기반을 선제적으로 확보하려는 것으로 보인다"며 "AI 서버용 D램 수요가 이어지는 만큼 글로벌 메모리 업체들의 증설 기조도 당분간 지속될 가능성이 크다"고 말했다. [email protected] 임수빈 기자