中창신메모리 "차세대 D램 기술 진전"… 연내 신제품 띄운다
DDR5 RDIMM 출시 계획 밝혀
중국 반도체 자립의 '첨병'으로 꼽히는 창신메모리(CXMT)가 D램 메모리 기술에서 새로운 진전을 이뤘다고 밝히면서 이를 이용해 올해 안에 차세대 서버용 제품을 선보이겠다고 발표했다.
12일 중국의 제일재경·과창판 일보에 따르면 차오칸위 CXMT 총재는 최근 한 행사에서 연말까지 D램 아키텍처 '4F²'를 이용한 차세대 서버용 메모리 제품 'DDR5 RDIMM'을 내놓을 계획이라고 밝혔다. 차오 총재는 이 아키텍처가 D램 트랜지스터 배열상의 혁신이라며, 자체 개발한 'VSG' 트랜지스터가 채널을 수직으로 둘러싸는 방식을 통해 누설 전류 등의 문제를 개선하고 메모리 집적도는 높인다고 설명했다. 이어 CXMT가 4F² 아키텍처 관련 특허를 다수 보유하고 있다고 소개했다.
반도체 업계에서는 웨이퍼 제조 공정에서 포토리소그래피 기술로 구현할 수 있는 최소 선폭(간격)을 'F'라고 부르는데, 4F²는 메모리 1개 단위의 크기가 'F 제곱의 4배'라는 의미라고 제일재경 등은 설명했다. 이어 현재 D램 업계의 주류 아키텍처는 6F²이며, 6F²에서 4F²로 발전하면서 단위 면적 내 트랜지스터 숫자는 늘고 메모리 집적도는 높아진다고 전했다. 또 서버용 메모리 시장은 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등이 우위를 보여왔고 CXMT는 가전제품에 집중해왔는데, 이번 신제품 출시 예고는 CXMT가 서버용 메모리 시장으로 영역을 넓히려는 시도라고 해석했다.
상하이교통대학 '컴퓨터법학·인공지능(AI)윤리 연구센터'의 톈펑 연석주임은 글로벌타임스 인터뷰에서 "세계 3대 메모리 제조사들이 자체적으로 4F²나 그와 유사한 3차원(3D) D램 로드맵을 추진 중이지만 아직 대규모 상업화에 이르지 못했다"고 말했다. 이어 CXMT가 4F²에 기반한 제품을 먼저 출시할 경우 차세대 메모리 경쟁에서 선도적 지위를 점하고 첨단 반도체 공급망에서 중국의 입지도 강화될 수 있다고 기대했다.
홍콩매체 사우스차이나모닝포스트(SCMP)도 삼성전자·SK하이닉스가 메모리 집적도를 높이기 위해 이러한 기술을 추구하고 있다며, SK하이닉스는 지난해 4F² 관련 로드맵을 공개한 바 있다고 설명했다. CXMT는 앞서 지난 7월 기업공개(IPO)를 통해 최대 666억1000만위안(약 13조2000억원)을 조달했고, 상장 첫날 주가가 급등하며 본토 증시 시가총액 1위에 오른 바 있다. CXMT는 지난 8월 차세대 모바일 D램인 LPDDR6 양산을 공식화했고, 지난달에는 5세대 D램 공정에서 양산에 돌입했다고 밝히기도 했다.
[email protected] 이석우 국제전문기자
