산업 산업일반

"젠슨 승인" 사인에...삼성전자-엔비디아 HBM 파트너십 기대감 고조

김준석 기자

파이낸셜뉴스

입력 2024.03.21 14:30

수정 2024.03.21 14:30

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 21일(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 연례 개발자 컨퍼런스 'GTC 2024'에 마련된 삼성전자 부스를 찾아 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E에 친필 사인을 남겼다. 한진만 삼성전자 부사장 SNS 캡처.
젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 21일(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 연례 개발자 컨퍼런스 'GTC 2024'에 마련된 삼성전자 부스를 찾아 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E에 친필 사인을 남겼다. 한진만 삼성전자 부사장 SNS 캡처.
[파이낸셜뉴스] 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 미국 새너제이에서 열리는 연례 개발자 컨퍼런스 'GTC 2024'에 마련된 삼성전자 부스를 찾아 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E에 친필 사인을 남겨 화제를 모았다.

업계에서는 황 CEO가 "삼성전자의 HBM을 테스트하고 있으며 기대가 크다"고 밝힌 데 이어 차세대 제품을 직접 살펴보면서 업계 안팎에서는 삼성전자의 엔비디아 HBM 공급 가능성이 고조되고 있다.

21일 업계에 따르면 한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 총괄 부사장은 이날 자신의 사회관계망서비스(SNS)에 황 CEO가 삼성전자 부스를 방문해 부스에 있던 직원들과 함께 찍은 사진을 공유했다.

특히 삼성전자가 이번 컨퍼런스에서 업계 최초로 공개한 HBM3E 12H(12단 적층) 제품에 황 CEO가 남긴 사인을 찍은 사진도 함께 올려 화제를 모았다.
황 CEO는 해당 제품에 '젠슨 승인(approved)'이라고 적었다. 다만, 업계에서는 젠슨 황 CEO가 남긴 '승인'이라는 사인이 실제 테스트를 통과된 것은 아나고 황 CEO의 기대감을 표시한 것으로 해석하고 있다.

HBM3E 12H 제품은 D램 칩을 12단까지 쌓은 5세대 HBM인 HBM3E 실물을 부스에 전시했다. 24기가비트 D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대인 36기가바이트(GB) 용량을 구현한 제품이다. HBM3E는 상반기 양산이 예정되어있다.

최근 양사간 파트너십 강화에 대한 기대감이 커지고 있다.

앞서 황 CEO는 지난 19일(현지시간) 미디어 간담회에서 '삼성의 HBM을 사용하고 있나'라는 질문에 "아직 사용하고 있지 않다"면서도 "현재 테스트하고(qualifying) 있으며 기대가 크다"고 언급했다.

이어 황 CEO는 "HBM은 매우 복잡하고 어려운 기술이며, 기술적인 기적과도 같고, 그들은 겸손하다"며 삼성전자와 SK하이닉스를 치켜세운 바 있다.

한편, 삼성전자는 4세대 제품인 HBM3와 5세대 제품인 HBM3E 제품부터는 '1위 탈환'에 총력을 기울 전망이다.
경계현 삼성전자 DS 부문장(사장)은 전날 주주총회에서 HBM이 한발 늦었다는 지적에 대해 "앞으로 다시는 그런 일이 생기지 않도록 더 잘 준비하고 있다"며 "12단을 쌓은 HBM을 기반으로 HBM3와 HBM3E 시장의 주도권을 찾을 것"이라고 밝혔다.

rejune1112@fnnews.com 김준석 기자

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