삼성전자 6세대 D램 'D1c' 양산 승인…HBM4서 반전 꿈꾼다

10나노급 1c D램 개발 완료, PRA 마쳐

서울 서초구 삼성전자 서초사옥 전경. 뉴스1

[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 10나노급 6세대(1c) D램 개발을 완료하며 고대역폭메모리(HBM) 차세대 제품 'HBM4' 양산을 향한 발판을 마련했다.

6월 30일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 1c D램 개발에 성공해 양산 승인(PRA)을 마친 것으로 확인됐다. PRA는 회사 내부 기준을 충족한 것으로 양산 직전 단계를 의미한다.

10나노급 D램 공정은 1x(1세대)-1y(2세대)-1z(3세대)-1a(4세대)-1b(5세대)-1c(6세대) 순으로 개발되고 있다. 다음 세대로 넘어갈수록 반도체 회로 선폭이 좁아져 성능 및 에너지 효율이 높아진다.

삼성전자는 2022년 12월 5세대(1b) D램을 개발하고 이듬해 5월 양산을 발표했으며, 이후 약 2년이 지나 이번에 6세대 개발에 성공한 것이다.

삼성전자는 1c D램을 사용한 HBM4를 개발 중이며, 하반기 양산이 목표다. 이보다 한 세대 이전인 1b D램을 사용해 HBM4를 만드는 SK하이닉스에 앞서 나가기 위한 전략으로 풀이된다.

SK하이닉스는 지난 3월 HBM4 샘플을 이미 고객사에 제공했고, 하반기 양산이 목표다.

삼성전자가 1c D램 개발을 완료한 만큼 하반기 중 HBM4 샘플 제공과 엔비디아 퀄(품질) 테스트 통과가 가능할지 관심이 몰리고 있다.

삼성전자는 HBM3E(5세대) 12단의 엔비디아 퀄 테스트 통과도 기다리는 중이다.

[e-mail] 임수빈 기자