삼성, HBM5 선점 선언... AI 메모리 초격차 시동 [컴퓨텍스 2026]

세계 최초 ‘8세대’ 실물모형 공개
차세대 열관리 기술 HPB 첫 적용
2나노급 선단 베이스 다이도 준비
송재혁 "종합반도체 강점 살릴것"

송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO)가 2일 대만에서 열린 '컴퓨텍스 2026'에서 HBM5에 적용된 HPB 열관리 기술에 대해 설명하고 있다. 사진=정원일 기자

【파이낸셜뉴스 타이베이(대만)=정원일 기자】 삼성전자가 세계 최초로 8세대 고대역폭메모리(HBM5)의 첫 실물모형(목업)을 공개했다. 업계 최초 HBM4 양산 출하와 HBM4E 샘플 공급에 이어 HBM5 목업까지 처음 선보이며 차세대 HBM 시장에서도 기술 리더십을 이어가겠다는 것이다.

송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 2일 대만 타이베이에서 열린 '컴퓨텍스 2026' 현장에서 HBM5 목업을 처음 선보였다.

이날 베일을 벗은 HBM5는 차세대 열관리 기술인 방열블록(HPB)이 처음으로 적용된 것이 특징이다. HPB는 메모리의 성능을 높이는 과정에서 발생할 수 있는 발열 문제를 해결하기 위한 기술로, 삼성전자는 이미 HBM4E를 기반으로 HPB 기술의 구현과 검증을 마친 상황이다.

검증을 마친 만큼 HBM5부터 본격적으로 열관리 기술을 적용해 성능을 고도화하겠다는 것이다.

송 사장은 "HBM5에서는 그래픽처리장치(GPU)가 갖고 있는 일부 기능을 베이스 다이로 가져와 병목현상을 줄이는 다이 투 다이 인터페이스를 검토하고 있다"며 "그렇게 되면 베이스 다이 특정 영역에 열이 집중되기 때문에, HPB 구조를 적용해 열을 효율적으로 방출하는 기술을 개발 중"이라고 설명했다.

HPB의 적용은 고객사들의 요구가 일정 부분 반영된 결과로 해석된다. 송 사장은 "처음에 어떤 기술을 포지셔닝할 때는 당연히 고객사의 요구를 듣는다"며 "열을 낮추거나 전력 소모를 줄이는 데 대한 고객들의 요구가 많다"며 개발 배경을 설명했다.

삼성전자는 메모리부터 파운드리, 패키징을 아우르는 종합반도체회사(IDM)의 강점을 살려 선제적으로 HBM5 베이스 다이에 2나노급 선단 공정을 적용할 계획이다. 이를 통해 전력 효율과 대역폭을 동시에 개선하겠다는 것이다.

이날 현장에서는 삼성전자가 지난달 말 업계 최초로 샘플 출하를 마친 HBM4E의 웨이퍼와 칩셋의 실물도 공개됐다. 삼성전자 HBM4E는 최선단 1c D램 코어 다이와 자체 파운드리 4나노 공정 베이스 다이를 결합해 핀당 14Gbps로 동작하며 최대 16Gbps(최대 4TB/s대역폭)까지 구현하는 데 성공했다.

샘플 공급을 시작한 7세대 HBM4E와 HBM5 양산 시점에 대해서는 "공개하기 어렵다"는 입장이다. 송 사장은 "고객수요와 시장 상황에 맞춰 탄력적으로 대응할 계획"이라며 "(HBM4E는) 이미 샘플을 공급하고 있다는 점을 고려하면 상당 수준까지 개발이 진행된 상태"라고 설명했다.

한편 시장조사기관 옴디아에 따르면 글로벌 HBM 시장 규모는 올해 약 589억달러에서 오는 2029년 약 1983억달러로 3배 이상 확대될 것으로 전망된다.

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