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삼성전자, 美 FMS서 차세대 메모리 '2관왕'

조은효 기자

파이낸셜뉴스

세계적인 메모리 기술 콘퍼런스
차세대 메모리 기술 인정받아

[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 세계적인 메모리 기술 콘퍼런스 'FMS 2026'에서 차세대 메모리 기술을 인정받아 2개 부문을 수상했다고 6일 밝혔다.

삼성전자는 'V10 BV-낸드(NAND)'로 3D 낸드 혁신상(3D & NAND Innovation Award)을, 'LPDDR5X-PIM'으로 차세대 메모리상(Next-Gen Memory Award)을 각각 받았다.

V10 BV-낸드는 400단 이상 초고적층 구조를 구현한 차세대 V낸드 기술이다. 웨이퍼를 수직으로 접합하는 본딩 버티컬(BV·Bonding Vertical) 기술과 V낸드 셀을 3개 층으로 연결하는 3-스택 구조를 적용해 저장 용량을 높이는 동시에 전력 소비와 발열을 줄인 것이 특징이다.

LPDDR5X-PIM은 세계 최초로 저전력 D램인 LPDDR5X에 PIM(프로세싱 인 메모리) 기술을 적용한 차세대 메모리 제품이다. AI 가속기와 고성능컴퓨팅(HPC) 등에 활용될 핵심 기술로 평가된다. 메모리 자체적으로 데이터를 연산한 뒤 필요한 결과를 프로세서에 전달하는 구조로 시스템 내 데이터 이동을 최소화함으로써 성능과 전력 효율을 높였으며, AI 연산 과정에서 병목 현상을 줄였다.

삼성전자는 6일(현지시간)까지 열리는 FMS 2026에서 차세대 메모리 로드맵과 AI 메모리 설루션, 차세대 스토리지 기술 등을 선보일 예정이다.

[email protected] 조은효 기자

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