삼성전자, 첨단 D램 제조에 'ASML 차세대 노광설비' 적용
업계 최초 D램 제조에 하이 NA EUV 적용
ASML 주도 대형 마스크 컨소시엄도 참여
삼성전자, 메모리 시장 주도권 확보 전환점
[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 네덜란드 반도체 장비 기업 ASML과 협력해 첨단 D램 제조 공정의 핵심인 차세대 노광 설비를 도입한다.
오는 2028년까지 업계 최초로 첨단 D램 제조에 차세대 노광 설비인 '하이 NA(High-NA) 극자외선(EUV) 장비'를 적용하는 것으로, 이를 통해 삼성전자는 메모리 미세화 구현과 생산성 향상으로 경쟁사들 대비 격차도 늘린다는 목표다. 업계에선 첨단 EUV 노광장비를 독점 공급하는 ASML과의 협력 강화가 삼성전자의 차세대 D램 경쟁력 회복과 글로벌 메모리 시장 주도권 확보에 중요한 전환점이 될 것으로 보고 있다.
삼성전자는 ASML이 주도하는 '대형 마스크 컨소시엄'에 참여해 차세대 12인치 포토 마스크 공동 개발에 나서고, ASML과 2028년까지 첨단 D램 제조에 하이 NA EUV 도입을 위한 협력도 강화한다고 8일 밝혔다.
포토 마스크는 미세 회로 패턴을 정교하게 새긴 정밀 '마스크(틀)'로 웨이퍼에 설계된 패턴을 빛으로 새기는 필수 도구다. 회로를 새기는 정밀도가 반도체 성능과 수율을 결정짓는다는 점에서 반도체 제조기술의 핵심으로 꼽힌다.
'대형 마스크 컨소시엄'은 반도체 노광설비에 사용되는 6인치를 12인치로 전환하기 위한 협의체다. 그동안 반도체 노광 공정에는 6인치 마스크가 사용됐지만, 하이 NA EUV 도입으로 12인치 마스크로 전환하면 한번에 더 많은 회로를 웨이퍼에 새길 수 있어 생산성을 높이고 칩 제조 비용을 낮출 수 있다.
메모리와 파운드리 제조 두 분야에서 업계를 선도해 온 삼성전자는 이번 컨소시엄에서 12인치 포토마스크 전환에 핵심적인 역할을 수행할 것으로 기대된다.
아울러 삼성전자는 ASML과 2028년까지 첨단 D램 제조에 하이 NA EUV 도입을 위한 협력도 강화할 계획이다.
삼성전자와 ASML의 이번 협력은 하이 NA 기술이 첨단 메모리 제조에도 적용될 준비가 되었다는 것을 의미한다는 설명이다. 삼성전자는 이로써 더욱 정밀한 패터닝을 통해 D램 미세화는 물론 생산성 향상을 동시에 실현할 것으로 보인다.
전영현 삼성전자 대표이사 부회장은 "삼성전자는 혁신 기술과 강한 파트너십으로 파운드리와 메모리를 포함한 첨단 반도체 제조 리더십을 이어갈 것"이라고 말했고, 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 "AI가 이끄는 새로운 시대를 맞이해 삼성전자와 함께 차세대 반도체 제조를 위한 혁신을 이끌어 가기를 기대한다"고 강조했다.
[email protected] 김학재 기자
