SK하이닉스, 2028년 D램 공정에 High NA EUV 적용
[파이낸셜뉴스]SK하이닉스가 오는 2028년 D램 공정에 차세대 노광장비 High NA EUV를 도입해 양상 적용을 추진하고 있다.
8일 업계에 따르면 SK하이닉스는 2028년 하이 NA EUV 공정을 D램 양산에 적용하는 것을 목표로 하고 있다. 또 TSMC가 주도하는 '대형 마스크 컨소시엄(Large Size Mask Consortium)' 참여도 검토 중이다.
High NA EUV는 기존 EUV보다 더 큰 NA(개구수)를 적용해 해상도를 크게 향상시킨 차세대 노광 장비다. 현존 가장 미세한 회로 패턴 구현이 가능해 선폭 축소 및 집적도 향상에 핵심 역할을 할 것으로 기대되는 기술이다.
반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이려면 미세 공정 기술 고도화가 필수다. 회로를 더 정밀하게 구현할수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능도 함께 개선되기 때문이다.
SK하이닉스는 지난 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 첫 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 확대하고 있다.
SK하이닉스는 차세대 노광장비 도입을 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 방침이다.
SK하이닉스는 또 TSMC가 네덜란드 반도체 노광설비 기업 ASML 등과 추진 중인 '대형 마스크 컨소시엄' 참여도 검토하고 있다.
'대형 마스크 컨소시엄'은 현재 반도체 노광설비에 사용되는 6인치를 12인치로 전환하기 위한 협의체다. 노광설비와 포토 마스크 관련 글로벌 기술 동향을 함께 모니터링하고 12인치 포토 마스크 개발을 목표로 공동 연구, 표준 개발 등의 협력 활동을 펼칠 계획이다. 삼성전자 역시 컨소시엄에 참여하기로 한 상태다.
[email protected] 박소현 기자
