SK하이닉스, 산학협력 우수발명 5건 선정…차세대 메모리 기술 발굴
[파이낸셜뉴스] SK하이닉스는 경기 이천캠퍼스 영빈관에서 '2026 산학연구과제 우수발명 시상식'을 개최했다고 16일 밝혔다.
산학연구과제 우수발명 시상식은 대학과 공동으로 수행한 연구 가운데 기술적 성과가 뚜렷하고 특허 가치가 높은 발명을 선정해 격려하는 행사다. SK하이닉스는 2013년부터 매년 시상식을 개최하고 있다.
올해는 지난해 출원된 산학특허 26건을 심사해 최우수상 1건과 우수상 1건, 장려상 3건 등 총 5건을 선정했다.
최우수상은 서울대학교 최우석 교수의 차세대 다중 레벨 신호 전송을 위한 회로 설계 관련 특허가 받았다. 연산 칩과 메모리 사이에서 데이터를 빠르고 적은 에너지로 주고받도록 하면서 고속 메모리 인터페이스에서 발생하는 전원 잡음을 줄이는 기술이다.
연구진은 실측을 통해 개선된 회로가 하나의 선에 세 단계 전압 신호를 싣는 'PAM3' 방식보다 안정적으로 데이터를 전송할 수 있다는 점을 확인했다. 해당 특허는 연구진과 SK하이닉스가 공동 출원했다.
우수상에는 연세대학교 김형준 교수의 차세대 메모리용 전극 물질 및 소자 특성 관련 특허가 선정됐다. 단일 공정 변수로 고집적 메모리에 사용되는 전극의 특성을 제어하는 기술로, 실제 제품 개발에 적용할 수 있는 수준의 정량적 데이터를 제시한 점에서 높은 평가를 받았다.
장려상은 서울대학교 황철성 교수의 '수직형 SOM 셀 물질 증착을 위한 고온 ALD·CVD 공정', 서울과학기술대학교 최병준 교수의 '차세대 메모리용 고온 ALD·CVD 전구체 및 공정', 한양대학교 한재덕 교수의 'UFS 5.0 및 차세대 M-PHY 고속 인터페이스 회로' 관련 특허가 각각 받았다.
차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장은 "산학 협력을 통해 발굴된 우수 특허가 국내 반도체 산업의 기술 경쟁력을 높이는 데 기여할 것으로 기대한다"며 "앞으로도 도전적이고 혁신적인 연구가 활발히 이뤄질 수 있도록 적극적인 지원을 이어가겠다"고 말했다.
[email protected] 박지연 기자
