中 HBM의 추격… "韓과 기술격차 2년뿐"[반도체 호황의 그림자]
국내 반도체 전문가 진단
中 패키징 기술 개발 등 공격행보
범용 D램도 경쟁력 강화 움직임
삼전·SK하닉 '우위' 안심 못해
"양산기술·수율로 방어해야" 지적
![中 HBM의 추격… "韓과 기술격차 2년뿐"[반도체 호황의 그림자]](https://image.fnnews.com/resource/media/image/2026/09/27/202609271811420081_l.jpg)
한국과 중국의 고대역폭메모리(HBM) 기술격차가 2년까지 좁혀졌다는 진단이 나오는 등 중국 반도체 산업의 추격이 거세지고 있다.
중국 반도체 기업들이 첨단기술인 HBM을 안정적으로 대량공급하는 단계에 이른 것은 아니지만, 범용 D램에서 쌓은 생산 경험을 바탕으로 한국 반도체를 향한 추격 속도를 높이고 있어 현재의 우위에 안주할 수 없다는 지적이 제기됐다.
27일 파이낸셜뉴스가 주요 반도체 전문가들의 의견을 종합한 결과 한중 HBM 기술격차에 대한 추정치는 2년에서 6년까지 제시됐다.
신창환 고려대 전기전자공학부 교수는 "HBM 기술격차는 2년 내외 수준까지 와 있다"고 평가했다. HBM의 세대교체 주기가 D램보다 빠르고 중국도 메모리를 쌓는 패키징 기술 개발에 들어섰기 때문이란 설명이다. 김용석 가천대 반도체대학 석좌교수와 백서인 한양대 글로벌문화통상학부 교수는 HBM 기술격차를 3년으로 제시했다. 백 교수는 "중국이 미친 듯이 공격적으로 나선다면 HBM 기술격차를 1년 정도 단축할 수 있다"고 진단했다.
최정동 테크인사이츠 수석부사장은 제품 세대로는 1~2세대 차이지만 양산 수율과 적층·열관리, 고객 공동설계를 비롯해 인공지능(AI) 가속기 인증까지 포함하면 실질적인 생태계 격차는 4~5년이라고 진단했다.
중국이 한국의 현재 기술 수준에 도달하는 시점을 2030년으로 예상한 최 수석부사장은 중국이 최첨단 HBM 제품에서 한국을 따라잡는 시점은 빨라도 2032~2034년 이후가 될 것으로 내다봤다. 권석준 성균관대 화학공학부 교수는 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 추진하는 제품의 개발·양산 단계를 한국 기업들이 거쳐온 시점과 비교하면 약 6년의 시차가 있다고 분석했다.
문제는 HBM 추격의 토대인 범용 메모리에서 중국의 진전이 두드러지고 있다는 점이다. 전문가들이 추정한 한중 간 D램 기술격차는 2~4년이다. 최 수석부사장은 셀 미세화만 보면 약 2년, 수율과 원가, 장기 신뢰성 및 고객인증을 포함하면 약 3년의 격차가 있다고 평가했다.
김용석 석좌교수는 HBM보다 DDR4·DDR5 등 범용 D램 시장을 먼저 경계할 것을 당부했다. 중국이 생산능력을 확대해 범용 제품의 점유율과 수익을 확보하면 이를 첨단제품 개발에 다시 투입할 수 있어서다.
권석준 교수도 메모리 호황으로 CXMT에 공장 증설과 HBM 연구개발을 동시에 추진할 자금여력이 생길 수 있다고 분석했다. 이로 인해 한국 반도체 기업들의 범용 D램 경쟁력 약화가 장기적으로 차세대 HBM 투자여력까지 흔들 수 있다는 지적도 제기됐다.
다만 이 같은 격차는 중국의 추격 속도를 진단한 것으로, 삼성전자와 SK하이닉스 등 한국 반도체 기업들의 우위는 분명하다고 전문가들은 평가했다.
이종환 상명대 교수는 "반도체에서 제일 중요한 것은 양산 기술과 수율"이라며 "차세대 공정과 생산라인에 대한 투자가 지속돼야 한다"고 강조했다.
[email protected] 박소현 임수빈 조은효 기자
