삼성전자 "HBM5에 GAA기반 2나노 공정 적용...동작속도 50% 높일 것"
삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장
"HBM5, HBM4E보다 동작속도 50% 이상 높일 것"
[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)5에 게이트올어라운드(GAA) 기반의 최선단 공정인 2나노(㎚·1㎚는 10억 분의 1m) 공정을 적용하겠다는 구상을 공개했다.
구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 27일 "HBM5는 직전 세대인 HBM4E보다도 동작 속도를 약 50% 이상 향상해야 할 것으로 예상된다"며 "베이스 다이(HBM 맨 밑단에 위치하는 제어용 칩)에는 동작 속도는 물론 전력 효율 관점에서도 큰 폭의 개선을 이끌어낼 수 있는 최선단 공정을 준비하고 있다"고 밝혔다. 구 부사장은 "HBM5의 베이스 다이는 GAA 구조를 사용하는 2나노 공정을 적용하고 더욱 높은 집적도의 실리콘관통전극(TSV)을 구현할 예정"이라며 "HBM5에서 2나노 공정을 선제 도입해 기술 리더십을 확고히 할 것"이라고 강조했다.
HBM은 베이스 다이 위에 코어 다이(실제 데이터를 저장하는 D램 칩)를 쌓아 연결한 제품이다. 삼성전자는 코어 다이는 메모리에서, 베이스 다이는 파운드리에서 각각 제조한 후 패키징해 완제품을 만드는 턴키 솔루션을 제공하고 있다. 구 부사장은 "삼성전자는 설계와 제조, 패키징을 다 하기 때문에 설계 단계에서부터 메모리·파운드리 등 관련 조직들이 협업해 속도, 전력, 발열 및 수율에 유리하게 설계를 최적화할 수 있다"며 "양산 제품을 완성하는 시간도 단축할 수 있어 비용 관점에서도 유리하다"고 말했다. 이어 "삼성 파운드리 선단 공정에 대한 수요는 모바일 외 영역에서도 확대되고 있다"며 "지난해 전장향 테슬라 2나노 제품을 수주하며 공정 경쟁력을 입증했고, 이를 기점으로 다수의 AI·HPC(인공지능 고성능 컴퓨팅), CSP(클라우드 서비스 사업자) 등 대형 고객사들로부터 수주가 이어지고 있다"고 덧붙였다. 삼성전자는 지난 25일(현지시간)미국 실리콘밸리에서 브로드컴과 5년간 총 2000억 달러 규모의 반도체을 위한 전략적 협력(MOU)를 체결했다. 메모리뿐 아니라 파운드리, 패키징까지 포함하는 대규모 수주 협상이 전개되고 있다.
[email protected] 조은효 기자
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