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안현 SK하이닉스 사장 "메모리 계층 최적화로 데이터 병목 극복해야"

박지연 기자

파이낸셜뉴스

안현 SK하이닉스 사장이 14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 제28회 반도체대전(SEDEX 2026) 키노트 스피치에서 기조연설을 하고 있다. 연합뉴스 제공

[파이낸셜뉴스] 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장이 인공지능(AI) 추론 수요 증가에 대응해 고대역폭메모리(HBM)를 넘어 차세대 메모리 개발을 확대하겠다는 구상을 제시했다. 메모리 간 데이터 이동이 AI 성능을 제한하는 새로운 병목으로 떠오르면서 개별 제품의 성능과 함께 시스템 전체의 효율을 높여야 한다고 진단했다.

안 사장은 14일 서울 코엑스에서 열린 반도체 전문 전시회 'SEDEX 2026'에서 'AI 시대, 메모리 기술의 진화 방향'을 주제로 기조연설을 하고 이러한 기술 로드맵을 소개했다.

안 사장은 2030년 AI 인프라 성능 규모가 올해 대비 약 20배로 성장할 것으로 전망했다. AI 모델 규모가 확대되고 활용 범위가 넓어지면서 데이터를 저장하고 처리하는 메모리의 중요성도 더욱 커질 것으로 봤다.

그는 "데이터센터와 반도체 산업도 과거와 같은 속도로 하나씩 정할 수 없다"며 "메모리 개발, 표준화, 생산 능력 확보는 AI 수요 형성 전부터 미리 준비돼야 한다"고 강조했다.

안 사장은 HBM 이후의 차세대 AI 메모리 기술로 '3D 스택 D램'을 제시했다. 그는 "현존하는 가장 빠른 메모리는 S램"이라며 "S램과 HBM 사이에 새로운 계층의 메모리가 개발돼야 한다"고 설명했다.

기존 HBM이 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 GPU 주변에 배치하는 방식이라면, 3D 스택 D램은 GPU 등 프로세서 위에 바로 D램을 올리고 실리콘관통전극(TSV)으로 연결함으로써 프로세서와 메모리를 연결한 제품이다. 이를 통해 데이터 이동 거리를 줄인다.

안 사장은 "프로세서와 메모리를 바로 연결하면서 대역폭 증가, 파워 절감, 열처리 할 수 있는 어드밴스트 패키지와 결합된다면 새로운 AI 메모리 솔루션으로 성장할 수 있다"고 말했다.

또 HBM 이후 커스텀HBM이 차지하는 비중이 커질 것으로 전망했다. 커스텀HBM은 메모리 하단에 위치한 베이스다이에 고객사의 요구에 맞는 기능을 반영한 제품이다.

안 사장은 "커스텀 HBM에는 베이스다이에 고객의 요구를 반영해 만들어진다"며 "SK하이닉스는 고객과의 협의를 통해 핵심 기술을 바탕으로 준비를 잘 하고 있다"고 했다. 이어 "커스텀HBM과 스탠다드 HBM을 병행하면서 장기적으로 커스텀 HBM이 확대될 것"이라고 전망했다.

아울러 AI 추론 과정에서 증가하는 메모리 용량 수요에 대응하기 위한 새로운 계층으로 고대역폭플래시(HBF)도 주목했다. HBF는 HBM처럼 TSV 기술과 로직 공정을 활용한 차세대 낸드 솔루션이다. HBM은 데이터 처리가 빠르다는 장점이 있지만 용량과 비용 측면에서 제약이 있다. 반면 낸드플래시 기반 HBF는 대용량 데이터를 효율적으로 저장할 수 있어 HBM과 솔리드스테이트드라이브(SSD) 사이 새로운 메모리 계층으로 주목받고 있다.

SK하이닉스는 HBF가 동세대 HBM 대비 절반 수준의 대역폭과 약 10배의 용량을 제공하는 것을 목표로 개발하고 있다. 안 사장은 "HBF의 용량과 대역폭은 대용량의 데이터 반복 읽기가 중심인 AI 추론에 오히려 적합한 모델"이라고 강조했다.

그러면서 "메모리는 AI 시대 이제 더 이상 부품 그자체가 아니다"며 "AI가 더 성장하고 발전하기 위해 HBM으로 시작돼 새로운 AI 메모리를 만들면서 문제를 해결하고 있다"고 했다. 이어 "메모리가 대한민국에게 가장 최고의 산업으로, 절호의 기회가 온 셈"이라고 덧붙였다.