삼성전자 'HBM4E 12단 샘플' 업계 최초 공급…HBM 초격차 굳힌다(종합)

1c D램, 4나노 로직 다이 적용
공정 안정성 및 양산성 확보해
내년 HBM 출하량 전망치도 ↑

삼성전자 HBM4E 12단 제품이 세계 최초로 글로벌 고객사에 출하되는 모습. 삼성전자 제공

[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 고대역폭메모리(HBM)4(6세대)에 이어 HBM4E(7세대) 샘플 공급까지 '업계 최초' 공급이라는 기록을 이어가며, 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장 공략에 속도를 내고 있다. 삼성전자는 지난 2월부터 HBM4 양산 및 고객사 공급을 시작한 가운데, 이번 HBM4E 샘플 공급을 통해 차세대 HBM 시장에서 기술 리더십과 공급 경쟁력을 다시 한번 공고히 할 전망이다.

HBM4E 샘플 예상 공급 시점 앞당겨

경기 수원시 영통구 삼성전자 수원본사 모습. 뉴시스

삼성전자는 세계 최초로 차세대 AI 가속기 핵심이 될 'HBM4E 12단' 샘플을 글로벌 고객사에 전격 공급했다고 29일 밝혔다. 삼성전자는 "지난 2월 업계 최고 속도를 구현한 HBM4 양산 출하에 성공하며 시장의 이정표를 세운 데 이어, 불과 수개월 만에 차세대 HBM4E 공급까지 개시하며 HBM 시장의 절대적 기술 리더십을 다시 한번 증명했다"고 설명했다.

앞서 황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장이 지난 3월 엔비디아 GTC 2026에서 언급한 HBM4E 샘플 공급 로드맵(7~9월) 대비 공급 시점이 앞당겨진 것이다.

업계에서는 삼성전자가 차세대 HBM 개발 및 검증 속도를 예상보다 빠르게 끌어올리고 있는 것으로 보고 있다.

삼성전자의 HBM4E는 설계 및 공정 최적화를 통해 독보적인 스펙을 구현했다. 핀당 동작 속도는 14Gbps(초당 기가비트)에서 최대 16Gbps까지 지원, 전작 HBM4 대비 20% 이상 대폭 향상됐다. 단일 스택 기준 초당 3.6테라바이트(TB)의 대역폭을 제공함으로써 대규모 언어 모델(LLM) 및 차세대 AI 시스템의 연산 속도를 극대화한 것도 특징이다.

특히 전작 HBM4에서 이미 검증된 최선단 공정 기반의 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 파운드리 4나노(나노·1㎚=10억분의 1m) 로직 다이를 적용했는데, HBM4E에서도 해당 공정을 통해 로직 다이를 구현했다. 이를 통해 초미세 공정의 안정성을 극대화하는 동시에 수율과 양산성을 확보, 경쟁사들이 쉽게 따라올 수 없는 압도적인 진입 장벽을 구축했다는 설명이다. 저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술을 집약해 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성도 14% 이상 크게 개선했다. 또 삼성전자 HBM4는 지난해 말 최종 인증 단계인 시스템 인 패키지(SiP) 테스트에서 업계 최고 수준인 11.7Gbps 속도를 입증하며 우수한 평가를 받은 바 있다.

HBM4E, 고객 일정 맞춰 양산 공급

삼성전자 HBM4E 12단 제품. 삼성전자 제공

증권가도 삼성전자의 HBM 성장 가능성에 주목하고 있다. UBS는 삼성전자의 공격적인 투자 확대를 반영해 내년 HBM 출하량 전망치를 기존 대비 상향 조정했다. 주요 증권사들도 HBM4와 고부가 AI 메모리 공급 확대에 따라 삼성전자 메모리 실적이 큰 폭으로 개선될 것으로 전망하고 있다.

업계에서는 HBM4 세대부터 고객 맞춤형 설계 대응과 안정적 대량 공급 역량이 더욱 중요해질 것으로 보고, 메모리·파운드리·패키징 경쟁력을 동시에 갖춘 삼성전자의 강점이 더욱 부각될 것으로 평가하고 있다.

삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 양산 공급할 예정이다.

황상준 부사장은 "HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다"며 "앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것"이라고 강조했다.

[e-mail] 임수빈 기자