"삼성 HBM 승부수는 '풀스택'…베이스다이 내재화 강점"-미래에셋證
[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 시장 경쟁 심화에도 불구하고 차세대 메모리 시장에서 차별화된 경쟁력을 확보했다는 증권가 분석이 나왔다. 메모리와 파운드리(반도체 위탁생산)를 모두 보유한 '풀스택 반도체 제조 역량'을 바탕으로 고대역폭메모리(HBM) 핵심 부품인 베이스 다이까지 자체 생산할 수 있는 구조가 향후 경쟁 우위로 이어질 것이라는 평가다.
김영건 미래에셋증권 연구원은 16일 보고서를 통해 "HBM4(6세대)부터는 기존 D램 공정이 아닌 파운드리 공정이 적용된 베이스 다이의 중요성이 커지고 있다"며 "삼성전자는 파운드리 사업부의 4나노 핀펫(FinFET) 공정을 활용해 베이스 다이 내재화를 완료했다"고 분석했다. 이어 "HBM4E(7세대), HBM5(8세대)로 갈수록 베이스 다이 조달 중요성이 더욱 커질 것"이라고 덧붙였다.
실제 HBM 시장에서 삼성전자의 강점은 점차 부각될 것으로 전망된다. 현재 글로벌 HBM 경쟁사들은 베이스 다이에 기존 D램 공정을 적용하거나 TSMC 등 외부 파운드리에 생산을 맡기고 있지만, 삼성전자는 자체 파운드리를 활용해 생산 효율성과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 수 있다는 것이다. 미래에셋증권은 HBM4에서 베이스 다이가 차지하는 원가 비중이 약 15% 수준에 달하는 것으로 추정했다.
실적 전망도 긍정적이다. 미래에셋증권은 삼성전자의 올해 영업이익이 395조원 수준까지 증가할 것으로 전망했다. 지난해 삼성전자 연간 영업이익은 43조6011억원이었다. 내년 영업이익 역시 529조원에 달할 것으로 예상했다.
반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)부문의 올해 영업이익은 383조원으로 추정된다.
김 연구원은 "단기적으로는 실적 성장성과 수익성, 주주환원에 주목하는 한편 중장기적으로는 풀스택 메모리 제조 내재화 역량에 대한 프리미엄 부여도 고민해 볼 시기"라고 전했다.
soup@fnnews.com 임수빈 기자
