"삼성 반도체 엔지니어들은 더 나은 미래를 만드는 사람들"
삼성전자 파운드리사업부 최정민 PL '대한민국 엔지니어상 수상'..."큰 자부심" 4나노 초전력 공정기술 개발, HBM4에 적용 젠슨 황 "그록 3 LPU, 삼성 4나노공정으로 생산"
[파이낸셜뉴스] "반도체 공정 기술이 인공지능(AI)시대를 이끄는 핵심이라는 데 큰 자부심을 느낀다."
최근 '대한민국 엔지니어상'을 수상한 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실 최정민 PL(프로젝트 리더)은 23일 "삼성전자 반도체 엔지니어들은 모두 대한민국의 AI 경쟁력을 높이고, 더 나아가 인류의 더 나은 미래를 만드는 의미 있는 일을 하는 분들"이라며 이같이 말했다.
26년차 반도체 엔지니어인 최 PL은 3차원 구조 트랜지스터(FinFET) 기반의 4나노(㎚·10억분의 1m) 초저전력 공정 기술을 개발한 공로로 대한민국 엔지니어상(과학기술정보통신부 주최)을 받았다. 이 기술은 업계 최초로 차세대 고대역폭메모리(HBM4) 베이스 다이(HBM의 맨 아랫부분) 개발과 양산에 적용됐으며, 삼성전자 파운드리사업부의 가동률 회복을 이끄는 핵심 기술로 꼽힌다.
지난 2001년 삼성전자 메모리사업부에 입사한 최 PL은 2008년 파운드리사업부로 자리를 옮겼다. 이후 45나노부터 4나노까지 다양한 로직 공정의 개발과 양산을 이끌며 선단 공정 경쟁력 확보에 기여해왔다. 현재 삼성전자의 4나노 공정은 풀캐파(생산능력 최대치) 수준으로 가동되고 있다. 가동률은 파운드리 사업의 수익성을 좌우하는 핵심 지표다. 특히, 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 지난 3월 엔비디아 연례 개발자 회의 'GTC 2026'에서 베라 루빈 플랫폼에 탑재되는 '그록 3 LPU'가 삼성전자 4나노 공정으로 생산되고 있다는 점을 공개적으로 언급해 삼성의 반도체 경쟁력을 재확인시키는 장면을 연출했다.
최 PL은 "개발 초기 난관에 부딪힐 때마다 압력, 온도, 설비 파워, 가스 유량 등 기본부터 다시 점검하는 접근법으로 기술적 한계를 극복했다"고 말했다. 또한, 반도체 집적도 향상에 따른 공정 간 상호작용을 사전에 파악하기 위해 예측 가능한 현상을 최소 5가지 이상 리스트로 작성해 검증하는 '1+1=5' 연구 습관을 바탕으로 기술 완성도를 끌어올렸다고 설명했다.
최 PL은 "동료들과 함께 수많은 시행착오와 과정을 겪은 결과, 엔지니어로서 크게 성장할 수 있었다"라며 "항상 문제는 기본적인 것에 있다는 생각으로 임하고 있다"고 밝혔다. 현재 반도체 업계에서는 4나노 선단 공정의 가동률 상승이 삼성전자 파운드리의 공정 경쟁력 회복과 실적 개선으로 이어질 것으로 보고 있다. [email protected] 조은효 기자
