[단독] 삼성, HBM4E 수율 9분 능선 넘겼다...HBM 초격차 총력전
HBM4E 신뢰성 테스트 수율 안정권 올라
HBM5 탑재되는 차세대 D1d PRA 올해 말
[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 현재 개발 중인 7세대 고대역폭메모리(HBM4E)의 수율(정상품 비율)을 70% 이상 확보한 것으로 확인됐다. 지난 2월 세계 최초로 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 양산 출하에 이어, 7세대인 HBM4E 개발이 사실상 9분 능선을 넘은 것으로 파악된다. 삼성전자는 기술 초격차 확보를 통해 SK하이닉스, 마이크론 테크놀로지와의 HBM4 및 4E 경쟁에서 확실한 우위를 점하겠다는 목표다.
1일 반도체 업계에 따르면 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 겸 반도체연구소장(사장)은 지난달 30일 열린 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 사내 경영현황설명회에서 "HBM4E 신뢰성 테스트 수율이 70% 이상 수준까지 올라왔으며, 차세대 10나노급 7세대(D1d) D램 공정도 경쟁사 대비 우위를 확보했다"고 밝혔다. 반도체업계에서는 통상적으로 수율이 80% 이상이면 '성숙 수율' 단계로 평가한다. 공정이 안정화됐다는 뜻이다. HBM4E가 아직 신뢰성 테스트 단계라는 점을 고려하면 '70% 이상' 수준은 개발이 안정권에 진입하고 있음을 의미한다. 삼성전자는 앞서 5월 말 주요 고객사들에게 HBM4E 12단 샘플을 보낸 상태다. HBM4E는 엔비디아가 내년 출시할 예정인 차세대 AI 가속기 '베라 루빈 울트라' 등에 탑재될 것으로 예상된다.
삼성전자는 앞서 2월 업계 최초로 HBM4 양산을 선언하며, HBM4 시장의 주도권 확보에 총력을 기울이는 모습이다. HBM4는 엔비디아가 하반기 출시할 AI 가속기 '베라 루빈'에 장착된다. 이미 지난달 말에는 메모리 업계 처음으로 HBM4 매출 실적 12억 달러 고지를 돌파했다.
차세대 D램 공정 개발도 순항하고 있는 것으로 전해졌다. 송 CTO는 D1d 공정 기술 경쟁력이 경쟁사 대비 우위에 있다고 평가했으며, 오는 11월 생산준비승인(PRA)을 목표로 개발을 진행 중이라고 설명한 것으로 알려졌다. PRA는 제품 출하를 앞두고 진행하는 사내 최종 품질 평가 단계다. 수율과 성능, 생산성 등을 종합적으로 검증해 양산 가능 여부를 판단하는 절차로, 통과하면 본격적인 양산 체제 전환이 가능하다.
특히 D1d는 삼성전자가 차세대 HBM5(8세대)부터 적용할 계획인 핵심 D램 공정이다. 업계에서는 D1d 개발이 계획대로 진행될 경우 차세대 D램은 물론 HBM5 이후 제품 경쟁력에도 긍정적인 영향을 미칠 것으로 보고 있다. 이처럼 HBM4E 개발 성과와 D1d 공정 안정화가 맞물리면서 차세대 AI 메모리 경쟁에서도 삼성전자의 기술 경쟁력이 한층 강화될 것이라는 관측이다.
[email protected] 임수빈 정원일 기자
