[단독] 삼성, HBM4E 수율 70% 넘겼다…HBM 초격차 총력전
HBM4E 신뢰성 테스트 수율 안정권 올라
HBM5 탑재되는 차세대 D1d PRA 올해 말
[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 세계 최초 고대역폭메모리(HBM)4(6세대) 양산에 이어 HBM4E(7세대)와 차세대 D램 개발에서도 가시적인 성과를 내고 있다. 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 겸 반도체연구소장은 최근 내부 경영현황설명회에서 HBM4E 신뢰성 테스트 수율(양품비율)이 70% 이상 수준까지 올라왔으며, 차세대 10나노급 7세대(D1d) D램 공정도 경쟁사 대비 우위를 확보했다고 밝혔다. 이를 바탕으로 삼성전자는 차세대 AI 메모리 경쟁력 강화에 더욱 속도를 낼 전망이다.
1일 반도체 업계에 따르면 송 CTO는 지난 6월 30일 열린 디바이스솔루션(DS)부문 내부 경영현황설명회에서 "HBM4E의 신뢰성 테스트 수율이 70% 이상 수준까지 올라왔다"고 밝힌 것으로 전해졌다. 업계에서는 통상 수율이 80% 이상이면 공정이 안정화된 '성숙 수율' 단계로 평가한다. HBM4E가 아직 신뢰성 테스트 단계라는 점을 고려하면 70% 이상 수준은 개발이 안정권에 진입하고 있음을 보여주는 지표라는 평가가 나온다.
삼성전자는 올해 2월 HBM4를 업계 최초 양산 출하 한 데 이어 지난 5월 29일 HBM4E 12단 제품의 세부 기술 사양을 공개하고 주요 고객사에 샘플을 출하한 바 있다. HBM4E는 엔비디아가 하반기 출시할 AI 가속기 '베라 루빈'에 장착될 HBM4의 후속 제품이고, HBM4E는 엔비디아가 내년 출시할 예정인 차세대 AI 가속기 '베라 루빈 울트라' 등에 탑재될 예정이다. 업계에서는 주요 고객사 대상 샘플 평가가 진행되면서 양산을 위한 개발도 순조롭게 진행되고 있는 것으로 보고 있다.
차세대 D램 공정 개발도 순항하고 있는 것으로 전해졌다. 송 CTO는 D1d 공정 기술 경쟁력이 경쟁사 대비 우위에 있다고 평가했으며, 오는 11월 생산준비승인(PRA)을 목표로 개발을 진행 중이라고 설명한 것으로 알려졌다. PRA는 제품 출하를 앞두고 진행하는 사내 최종 품질 평가 단계다. 수율과 성능, 생산성 등을 종합적으로 검증해 양산 가능 여부를 판단하는 절차로, 통과하면 본격적인 양산 체제 전환이 가능하다.
특히 D1d는 삼성전자가 차세대 HBM5(8세대)부터 적용할 계획인 핵심 D램 공정이다. 업계에서는 D1d 개발이 계획대로 진행될 경우 차세대 D램은 물론 HBM5 이후 제품 경쟁력에도 긍정적인 영향을 미칠 것으로 보고 있다. 이처럼 HBM4E 개발 성과와 D1d 공정 안정화가 맞물리면서 차세대 AI 메모리 경쟁에서도 삼성전자의 기술 경쟁력이 한층 강화될 것이라는 관측이다.
한편, 설명회 이후 연구개발 조직 내부에서는 연구개발 인력의 역할과 보상 체계에 대한 불만도 제기되고 있다. 구성원들은 연구개발 조직의 기여도를 보다 적극적으로 인정할 필요가 있다는 의견을 내놓은 것으로 알려졌다. 앞서 삼성전자 노사는 DS부문에 사업성과(영업이익)의 10.5%를 재원으로 하는 '특별경영성과급'을 신설하기로 했다. 다만 같은 DS부문에서도 메모리 대비 연구소를 포함한 공통 부문, 비메모리(시스템LSI·파운드리)사업부의 성과급 격차가 커 보상 체계 개선을 요구하는 목소리도 커지고 있다.
soup@fnnews.com 임수빈 정원일 기자
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