삼성 "용인 반도체공장 첫 팹 1~2년 앞당겨 2029년 가동" [용인 반도체도 속도전]

글로벌 메모리 '속도전' 돌입
향후 10년 팹 증설 경쟁 격화
삼성, 평택 P5 1·2 건설에도 속도
AI반도체 공급망 주도권 확보나서
SK하이닉스도 국내외 투자 검토
마이크론, 대미투자 375조 이상

삼성전자가 용인 반도체 클러스터의 1기 팹(공장)을 당초 계획보다 1~2년 앞당겨 2029년부터 가동하는 것으로 일정을 재조정했다. SK하이닉스는 용인·청주·광주 반도체 공장에 대한 총 1100조원 투자 추진과 함께 미국, 일본 등 해외 반도체 공장 신규 투자도 적극 검토하고 있는 것으로 파악됐다. 메모리 업계 3위인 미국 마이크론은 미국 정부의 지원을 등에 업고, 오는 2035년까지 미국 내 투자 규모를 2500억달러(약 375조원) 이상으로 확대하기로 했다. 이들의 뒤를 쫓고 있는 중국 창신메모리(CXMT)는 이달 상장을 통해 6조원의 투자 실탄을 확보하는 대로 메모리 증설 투자에 나설 계획이다.

글로벌 메모리 업계가 인공지능(AI) 반도체 시장의 주도권 확보를 위해 일제히 증설 경쟁에 뛰어들고 있는 것으로 풀이된다.

■'속도전'…향후 10년 '팹 증설 시대'

12일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 용인 국가산단에 들어설 총 6기 반도체 공장 중 1기 팹의 가동 시점을 당초 2030~2031년에서 2029년으로 재설정했다. 미국 마이크론, 중국 CXMT 등 추격 업체들이 속도전으로 증설 경쟁에 돌입한 데다 정부가 지난달 29일 청와대에서 열린 3대 메가프로젝트 대국민 보고회를 통해 삼성전자와 SK하이닉스의 용인 반도체 클러스터의 마지막 팹 완공 시점을 각각 7년(6기·당초 2047년→변경 2040년), 12년(4기·2045년→2033년)씩 앞당기겠다는 방침을 정하면서, 용인 클러스터의 첫 번째 팹 가동시점도 1~2년 앞당기는 것으로 조정했다. △부지 조성과 토지 보상 △3기가와트(GW)급 액화천연가스(LNG) 발전소 조기 착공 △2·3단계 전력공급 일정 단축 △단계별 용수공급 조기화 등이 차질 없이 전개돼야 가능하다는 목소리가 나온다.

통상 최첨단 반도체 공장 건설엔 2년가량이 소요된다. 1기 팹이 2029년에 가동되려면 늦어도 올해 하반기에는 부지 조성 공사가 시작돼 내년 중에는 착공과 함께 본격 골조 공사가 진행돼야 한다. 정부가 호남 반도체 클러스터와 함께 용인 클러스터에도 속도를 내겠다는 입장을 내놓은 만큼, 용인 산단의 전력과 용수 등 핵심 인프라 공급 일정 역시 앞당겨질 수 있다는 게 업계의 시각이다. 삼성전자는 현재 건설 중인 평택캠퍼스 P5 1·2 역시 속도를 낸다는 방침이다.

최태원 SK그룹 회장은 지난 10일(현지시간) 미국 뉴욕에서 열린 SK하이닉스의 미국주식예탁증서(ADR) 나스닥 상장식 직후, 미국 월가의 반도체 수요 및 반도체주 피크아웃(정점을 찍고 성장세 둔화 또는 감소)을 일축하며 "향후 5년 안에 생산능력을 두 배로 늘리겠다고 발표했는데도 모든 고객들이 '그것만으론 부족하다. 더 필요하다'고 말한다"고 강조했다. 최 회장은 SK하이닉스의 나스닥 상장을 통해 확보한 약 40조원을 △용인 반도체 클러스터 1기 팹 건설 △청주 P&T7 후공정 팹 등에 투입할 계획이다. 최 회장은 글로벌 반도체 업계가 공급 부족사태로 사실상 '증설의 시기'에 돌입했음을 시사하며, 국내 투자와 더불어 "미국에서 적합한 입지를 찾는다면 (반도체 팹 구축에) 투자할 것"이라고 밝혔다.

■마이크론·CXMT·TSMC도 공격투자

마이크론은 지난 9일 2035년까지 미국 투자 규모를 2500억달러로 확대하고 자사 D램의 40%를 미국에서 생산하겠다는 계획을 발표했다. 당초 미국 내 1700억달러를 투자할 계획이었지만 트럼프 행정부 출범 이후인 지난해 6월 투자액을 2000억달러로 상향했고, 이번에 다시 500억달러를 증액했다. 마이크론은 이와 별도로 일본 히로시마에 2028년 하반기 가동을 목표로 차세대 D램 및 고대역폭메모리(HBM) 공장(투자액 1조5000억엔·약 14조2000억원)도 구축한다.

CXMT는 이달 중순 기업공개(IPO)를 통해 295억위안(약 6조5000억원)을 조달, 생산능력 확충 및 고도화에 75억위안, D램 기술 업그레이드에 130억위안, 차세대 연구개발에 90억위안을 투입할 예정이다. 미국 반도체 분석업체 세미애널리시스는 CXMT의 생산능력이 올해 말 월 35만장 수준으로 늘어나 같은 기간 마이크론의 월 38만5000장에 근접할 것으로 내다봤으며 2028년에는 월 50만장으로, 마이크론을 제치고 세계 3위 수준 점유율(약 17%·현재는 약 8%)을 차지하게 될 것으로 전망했다. 전 세계 파운드리 1위인 대만 TSMC도 대미 투자액을 기존 1000억달러에서 1650억달러로 확대해 미국에 웨이퍼 공장 6곳과 패키징 공장 2곳, 연구개발(R&D)센터 1곳을 짓겠다고 밝힌 상태다.

ehcho@fnnews.com 조은효 기자